收藏本站
IXFN 36N100
12
30000
Ciss
10
8
V DS = 500 V
I D = 18 A
I G = 10 mA
10000
f = 100kHz
Coss
6
1000
4
2
0
100
Crss
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
144
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
80
100
0.1 ms
60
10
1 ms
T C = 25 C
40
20
T J = 125 O C
T J = 25 O C
1
O
10
ms
DC
0
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
100
1000
V SD - Volts
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
1.000
0.100
0.010
0.001
V DS - Volts
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
IXFN36N100
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN36N110P MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
IXFN38N100P MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXFN40N110P MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXFN40N90P MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
IXFN420N10T MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
IXFN44N100P MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
IXFN44N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
IXFN44N50Q MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN36N110P 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N60 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100P 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N80Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN39N90 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN40N110P 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube